数量
价格
总价
5000
$0.1260
$630.0000
15000
$0.1155
$1,732.5000
30000
$0.1050
$3,150.0000
类型 | 描述 |
制造商 | Goford Semiconductor |
系列 | - |
包装 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 8-PowerVDFN |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 6mOhm @ 3A, 10V |
功耗(最大) | 22.7W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.5V @ 250µA |
供应商设备包 | 8-DFN (3.15x3.05) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 4.5V, 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
漏源电压 (Vdss) | 40 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 23 nC @ 10 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 947 pF @ 20 V |