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IMW120R014M1HXKSA1

零件编号 IMW120R014M1HXKSA1
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 IR (Infineon Technologies)
描述 SIC DISCRETE
封装
包装 管子
数量 228
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

1

$38.1465

$38.1465

30

$31.6260

$948.7800

120

$29.6520

$3,558.2400

获取报价信息
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列CoolSiC™
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C127A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs18.4mOhm @ 54.3A, 18V
功耗(最大)455W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5.2V @ 23.4mA
供应商设备包PG-TO247-3
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)15V, 18V
Vgs(最大)+20V, -5V
漏源电压 (Vdss)1200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs145 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds4580 pF @ 800 V

CableMAX
14Ft RJ11 Modular telephone Cabl
ATTEND Technology
M12 X-CODE RECEPTACLE, 8PIN MALE
Scotch-Weld
3M SCOTCH-WELD EPX SQUARE ORANGE
Benedict GmbH
MANUAL MOTOR STARTER 20-25A
IR (Infineon Technologies)
TT Electronics / BI Technologies
POT 100K OHM 1/4W PLASTIC R-LOG
CD
CD PREMIUM 36" NON OSCILLATING P
Adafruit
TILT BALL SWITCH
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