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SISS54DN-T1-GE3

零件编号 SISS54DN-T1-GE3
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Vishay / Siliconix
描述 N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 8329
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

1

$1.5855

$1.5855

10

$1.3230

$13.2300

100

$1.0500

$105.0000

500

$0.8925

$446.2500

1000

$0.7560

$756.0000

3000

$0.7140

$2,142.0000

6000

$0.6930

$4,158.0000

9000

$0.6615

$5,953.5000

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产品参数
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET® Gen V
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® 1212-8S
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs1.06mOhm @ 20A, 10V
功耗(最大)5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.2V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® 1212-8S
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)+16V, -12V
漏源电压 (Vdss)30 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs72 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds3450 pF @ 15 V

ASSMANN WSW Components
WIRE-TO-BOARD, WAFER, 3.00MM, 8P
CMZ S.r.l.
I/O mod. DO 16x24VDC, 500 mA
Kurtz Ersa
SOLDERING TIP ERSADUR, 1.0 MM
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Solid State Inc.
DIODE GEN PURP 400V 20A DO4
Solid State Inc.
DIODE GEN PURP 500V 12A DO4
Solid State Inc.
DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO4
PANJIT
DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO247AD
Conta-Clip
END PLATEGREEN
PANJIT
DIODE ARR SCHOT 200V 40A TO247AD
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